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石墨烯等碳材料由于具有高机械强度、星招电导率和导热性等特性，在电子器件的开发中具有潜在用途。c，更懂实验测量的(红点)和DFT计算的能带隙的与平均电位移场(DAV)的关系。

b,AA,AA，优秀AB和AB堆垛的C3N单层和双层的CBM和VBM的部分电荷密度(俯视图)。北极b,AB叠加的C3N双层在不同固定底栅电压(Vb)下的电阻随顶栅电压(Vt)变化的关系。通过将石墨烯绘制成窄带，星招已经引入了高达400meV的带隙，但制造过程仍面临重大挑战，载流子迁移率大大低于典型的石墨烯。

尽管已经观察到各种二维材料的大量带隙调制，更懂但碳基材料显示出有限的带隙调节。然而，优秀形成高度规则的二维(2D)碳氮化合物晶体结构是困难的，这使得大多数合成的碳氮化合物薄膜不适合纳米电子应用。

在FET器件中对C3N双层样品进行了实验，北极并利用红外显微光谱技术证实了C3N中叠加诱导和电场诱导的带隙调制。

文献链接：星招Bandgapengineeringoftwo-dimensionalC3Nbilayers，NatureElectronics，2021，DOI：10.1038/s41928-021-00602-z.本文由纳米小白供稿。这项工作表明，更懂操纵各种各向异性形状的纳米结构的磁相互作用可以打破传统熵主导的胶体组装系统中致密堆积相的限制，更懂从而打开创造许多复杂胶体晶体的大门。

优秀（i）bct胶体晶体及其小平面的三维红化和球棒键合图。图二、北极bct胶体晶体的结构表征（a）bct晶体的TEM图像，显示（100）面投影。

星招（c）左图：胶体分散体中胶体晶体的光学显微镜图像。更懂（e）组装过程中磁性纳米棒的轨迹。